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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
13
19
60
40
30
20
10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18
300
-- 6 0
ACPR (dBc)
17
0
-- 2 0
-- 3 0
Figure 6. Broadband Frequency Response
0
18
1740
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQ
= 850 mA
9
GAIN (dB)
15
1840 2240 25401940 2040 2140 2340 2440
IRL
-- 4 2
0
-- 2 1
-- 2 8
-- 3 5
IRL (dB)
16
15
50
-- 5 0
-- 4 0
3
12
-- 1 4
-- 7
14
1
6
10
0
ηD
Gps
2170 MHz
2110 MHz
2140 MHz
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
VDD=28Vdc,IDQ
= 850 mA, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
100
Gain
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 7. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
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